gaas中起施主作用的是si，si取代gaas中的as原子則起受主作用。導帶中電子濃度隨矽雜質濃度的增加而增加，當矽雜質濃度增加到一定程度時趨於飽和。矽先取代ga原子起施主作用，隨著矽濃度的增加，矽取代as原子起受主作用。
《半導體物理學（第7版）》較全面地論述了半導體物理的基礎知識。全書共13章，主要內容為：半導體的晶格結構和電子狀態；雜質和缺陷能級；載流子的統計分布；載流子的散射及電導問題；非平衡載流子的產生、復合及其運動規律；pn結；金屬和半導體的接觸；半導體表面及mis結構；半導體異質結構；半導體的光、熱、磁、壓阻等物理現象和非晶態半導體。