mos管導通條件:增強型mos管導通條件[朗讀]

首先確定一點:不管是nmos還是pmos,只要是導通狀態(nmos導通:ug>us;nmos導通:ug其次一點:一般情況下mos管用處比較多的是「開關作用」,電路連接為:mos管的方向為寄生二極體的負極接電壓高的一方.最後一點:mos管還有「反向截止作用」,類似於普通二極體的作用.用mos管的反向截止作用,與普通二極體比較來說,優點在於mos管的導通壓降小於普通二極體導通壓降,即大電流流過時,mos管不容易發熱(與二極體比較)。

1、對pmos增強型管是正確的,耗盡型則不同.2、pmos的特性,vgs小於一定的值就會導通,使用與源極接vcc時的情況(高端驅動).但是,雖然pmos可以很方便地用作高端驅動.3、但由於導通電阻大,價格貴,替換種類少等原因,在高端驅動中,通常還是使用nmos。

1、對pmos增強型管是正確的,耗盡型則不同.2、pmos的特性,vgs小於一定的值就會導通,使用與源極接vcc時的情況(高端驅動).但是,雖然pmos可以很方便地用作高端驅動.3、但由於導通電阻大,價格貴,替換種類少等原因,在高端驅動中,通常還是使用nmos。

三極體的導通條件是:發射結加正向電壓,集電結加反向電壓.發射結加正向電壓,就是基極和發射極之間所加電壓ube,是按箭頭的指向加pn結的電壓,即矽管加0.7v;鍺管加0.2v.集電結加反向電壓,就是在集電結的pn結上加反壓ube才能把基區的電荷吸引過來、.此電壓較高,在手機中一般為1~3.6v.pnp三極體的導通電壓是ue>ub>uc;npn三極體為uc>ub>ue.ibmin:(vmin-0.6)/r21-0.6/r22max:(vmax-0.6)/r21-0.6/r22??ib.max評論001。

在pqb03收到acdrv這個信號之前是出於截止狀態,因vin加到了pqb03的漏極所以p1此時並沒有電壓.見圖:當晶片發出acdrv這個信號後pqb03和pqb04兩個nmos開啟,此時有了p1和p2,p1為適配器電壓19v經prb11和prb12分壓(prb12*19/(prb11+prb12)),分壓後的電壓是4.75v.見下圖.那麼根據nmos管的導通條件柵極電壓必須高於源極4.5v以上才可以導通,現在源極是19v而柵極是4.75v,這個管子怎麼可以導通.見下圖.即便此管可以正常導通,但是acdrv得信號電壓是25v加到此管的漏極,這個mos管還是不能夠導通.見下圖: