理想導體邊界條件:理想導體表面邊界條件[朗讀]

從微波eda直接複製過來的解釋.perfecth是一種理想的磁邊界條件,這種邊界條件的電場矢量與物體表面相切,磁場矢量與物體表面垂直.需要說明的是,在真實世界。

並不能推出.比如在圓周型導體中,由安培環路定理可知,b=u0ir/r³,磁場隨著半徑增大而減小,不會有b=0。

邊界條件是:n·(d1-d2)=ρs;(1)n*(e1-e2)=0;(2)n·(b1-b2)=0;(3)n*(h1-h2)=j)s.(4)式中n為兩媒質分介面法線方向的單位矢量,場矢量e、d、b、h的下標1或2分別。

設置材料(比如銅)以後,就不必再設置邊界條件為理想導體。

理想電邊界(perfecte)——perfecte是一種理想電導體或簡稱為理想導體.這種邊界條件的電場(e-field)垂直於表面。